半导体芯片生产工艺流程

半导体芯片是现代电子产品的核心组成部分，其生产工艺涉及多个环节，包括光刻、腐蚀、离子注入等。博泰小编带大家了解半导体芯片生产的整个流程。

一、清洗

芯片在加工前需进行清洗，清洗设备通常为栅氧化清洗机和氧化扩散清洗机。

二、氧化

氧化过程就是把清洗干净，通过离心甩干的硅片板送入高温炉管内进行退火处理，炉管内温度800-1500℃。

三、淀积

淀积系统就是在硅片表面形成具有良好的台阶覆盖能力、良好的接触及均匀的高质量金属薄膜的设备系统。

四、光刻

在硅晶片涂上光致蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，在光刻机的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，用溶剂将其冲走。

五、刻蚀

以化学蚀刻的方法或用干法氧化法，去除氨化硅和去掉经上几道工序加工后，在硅片表面因加工应力而产生的一层损伤层的过程。

六、二次清洗

将加工完成的硅片需要再次经过强酸碱清洗、甩干，去除硅片板上的光刻胶。

七、离子注入

将刻蚀后的芯片放入大束、中束流注入机将硼离子(B+3)透过Si02膜注入衬底，形成P型阱。去除氨化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱。

八、快速退火

从离子注入机中取出硅片放入快速退火炉中进行退火处理，去除Si02层，与离子注入工艺根据需要反复循环进行。

九、蒸镀

薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不一样，厚度通常小于1um，分真空蒸发法和溅镀法。

十、检测

检测就是进行全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。

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